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最厉（f）异质结构g-C3N4/SnS2的侧视图。与g-C3N4相比，黄赌害Z-scheme异质结构具有更窄的带隙、红移和更强的光吸收，显著提高了光催化活性。
最厉图8g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的光催化机理图（a）g-C3N4/SnS2的Z-scheme光催化机理图。黄赌害（d）异质结构g-C3N4/SnS2的顶视图。最厉相关成果以AhighefficientZ-schemeB-dopedg-C3N4/SnS2photocatalystforCO2reductionreaction:Acomputationalstudy为题发表在JournalofMaterialsChemistryA上。
对于B掺杂g-C3N4/SnS2的最佳路径是CO2→COOH*→CO*→HCO*→CHOH*→CH*→CH2*→CH3*→CH4，黄赌害速率确定步骤为CH2*→CH3*，ΔG为0.40eV。【图文导读】图1Z-scheme光催化反应的电子转移示意图图2g-C3N4/SnS2、最厉B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的示意图（a）单层g-C3N4的示意图。
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结果表明，最厉B掺杂g-C3N4/SnS2的CO2还原活性优于g-C3N4/SnS2。这项工作展示了设计双极膜的策略，黄赌害并阐述了其在盐度梯度发电系统中的优越性。
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